Mai bine de 20 de companii japoneze şi americane şi-au unit forţele pentru a scoate din circuit memoria DRAM.
Următorul pas ar fi MRAM, care ar urma să folosească tehnologia magnetică, în loc de cea a impulsurilor de curent electric.
Companiile implicate vor trimite cercetători la un centru universitar din nordul Japoniei, pentru a lucra la proiect, susţine CNET.
Dezvoltarea noii tehnologii va începe în februarie, iar în teorie memoria MRAM ar consuma doar o treime din cât consumă memoriile actuale, ar fi de zece ori mai rapide şi ar avea o capacitate de zece ori mai mare.
Productia in masă este programată pentru 2018.
